1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:
記憶體結構
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/06/01
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 54,600
4.其他應敘明事項:
一種記憶體結構,包括基底、選擇閘極結構、第一重摻雜區、第二重摻雜區及浮
置接觸窗。選擇閘極結構設置於基底上。第一重摻雜區與第二重摻雜區分別設置
於選擇閘極結構一側與另一側的基底中。浮置接觸窗設置於第一重摻雜區與選擇
閘極結構之間的基底上,且與基底相互隔離。
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