未上市  

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:

非揮發性記憶體及其製造方法

2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/05/01

3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 55,800

4.其他應敘明事項:

一種非揮發性記憶體，包括基底、第一導體層、第二導體層、圖案化硬罩幕層、

第三導體層、第一摻雜區及第二摻雜區。第一導體層與第二導體層彼此分離設置

於基底上。圖案化硬罩幕層設置於第一導體層上，且暴露出第一導體層的尖端。

第三導體層設置於第一導體層遠離第二導體層的一側的基底上。第三導體層位於

部分第一導體層上並覆蓋尖端，且第三導體層與第一導體層相互隔離。第一摻雜

區設置於第三導體層下方的基底中。第二摻雜區設置於第二導體層遠離第一導體

層的一側的基底中。

<摘錄公開資訊觀測站>