未上市  

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:

記憶體的製造方法

2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/05/01

3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 58,000

4.其他應敘明事項:

一種記憶體的製造方法，包括以下步驟。在基底上形成多個電荷儲存結構，其中

相鄰兩個電荷儲存結構之間具有第一溝渠，且第一溝渠延伸至基底中。在第一溝

渠的表面形成介電襯層。在介電襯層上形成氮化物層。在第一溝渠中填入第一介

電層。在電荷儲存結構與第一介電層上形成第二介電層。在第二介電層上形成導

體層。移除第一介電層，而在相鄰兩個電荷儲存結構之間的第二介電層下方形成

第一氣隙。

<摘錄公開資訊觀測站>