未上市  

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:

半導體元件及其製作方法

2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/05/01

3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 95,200

4.其他應敘明事項:

一種半導體元件，包含有一基底；一源極摻雜區，設於基底中；一汲極摻雜區，

設於基底中，並與源極摻雜區相隔一預定距離；一通道區域，介於源極摻雜區與

汲極摻雜區之間；以及一閘極結構，設於通道區域上，其中閘極結構包含有一閘

極介電層、一閘極導電層，以及一複合應力導向層。

<摘錄公開資訊觀測站>