未上市  

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:

半導體記憶裝置

2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/05/01

3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 38,200

4.其他應敘明事項:

半導體記憶裝置是具有多個記憶胞的多值DRAM，多個記憶胞各自具備連接至字元

線的選擇電晶體、及經由選擇電晶體連接至位元線且記憶多值的第1蓄電電容器。

半導體記憶裝置具備對應多個位元線而設置的包含第2蓄電電容器的多個採樣保持

電路；對應多個位元線而設置在各採樣保持電路的後段的經由各採樣保持電路從各

記憶胞將資料讀出並轉換成數位值的多個單斜率型AD轉換器；以及為了再新各記憶

胞將對應數位值的電壓施加於各記憶胞，且將對應寫入資料的數位值的電壓施加在

各記憶胞的記憶體控制器。

<摘錄公開資訊觀測站>