未上市  

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:

揮發性半導體記憶裝置、其再新控制電路及方法

2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/04/25

3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 258,319

4.其他應敘明事項:

一種揮發性半導體記憶裝置的再新控制電路，所述揮發性半導體記憶裝置包括各

自具有選擇用電晶體與記憶元件的多個記憶胞元，所述揮發性半導體記憶裝置的

再新控制電路包括：第1比較部件，將所述揮發性半導體記憶裝置的與通常記憶用

記憶胞元不同的記憶胞元的記憶電壓跟規定的臨界電壓進行比較，並輸出比較結

果信號，停止所述記憶胞元的自我再新，直至所述記憶電壓下降至小於規定的臨

界電壓為止。此處，所述揮發性半導體記憶裝置的與通常記憶用記憶胞元不同的

記憶胞元是形成在與所述通常記憶用記憶胞元的陣列鄰接的區域中。

<摘錄公開資訊觀測站>