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公告本公司取得日本專利局核發JP 5976077專利

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:內部電源電壓產生電路、半導體記憶裝置及半導體裝置2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/07/293.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 223,4404.其他應敘明事項:本發明為其以內部電源電壓成為基準電壓的方式進行調整。所述內部電源電壓產生電路包括：電荷共享電路，包含充電電容器、初始電壓調整電路及電荷重置電路，所述充電電容器經由開關電路而連接於差動放大器，且以控制電壓的電荷進行充電，所述初始電壓調整電路對充電電容器調整並施加初始電壓，所述電荷重置電路對充電電容器進行放電，當內部電源電壓較基準電壓而下降時，將具有初始電壓的充電電容器連接至差動放大器，在傳輸期間內將控制電壓的電荷傳輸至充電電容器。<摘錄公開資訊觀測站>

2016/9/30【公告本公司取得美國專利局核發US 9397183專利】
2016/9/30【公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 2083219專】
2016/9/30【公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 2083999專】
2016/9/30【公告本公司取得日本專利局核發JP 5976077專利】
2016/9/30【公告本公司取得日本專利局核發JP 5976055專利】
2016/9/30【公告本公司取得日本專利局核發JP 5986170專利】
2016/9/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I550293專利】
2016/9/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I547348專利】
2016/9/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I550750專利】
2016/9/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I550616專利】
2016/9/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I550716專利】
2016/9/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I550842專利】
2016/9/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I548075專利】
2016/9/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I548039專利】

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