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公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I550716專利

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:半導體元件的製造方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/09/213.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 48,6004.其他應敘明事項:一種半導體元件的製造方法,包括下列步驟。提供基底,基底包括隔離區和元件區。對基底進行全面性預非晶化處理以形成非晶化區,其中非晶化區的深度全面性地深於隔離區及元件區的至少一者的深度,且非晶化區涵蓋隔離區及元件區的至少一者。對非晶化區進行熱處理。<摘錄公開資訊觀測站>

2016/9/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I547348專利
2016/9/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I550750專利
2016/9/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I550616專利
2016/9/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I550716專利
2016/9/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I550842專利
2016/9/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I548075專利
2016/9/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I548039專利
2016/9/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I548064專利
2016/9/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I541112專利
2016/9/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I550221專利
2016/9/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I541751專利
2016/9/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I548000專利
2016/9/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I550749專利
2016/9/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I550362專利

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