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公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I548000專利

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:半導體元件及其製作方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/09/013.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 53,2004.其他應敘明事項:一種半導體元件及其製作方法。半導體元件的製作方法包括以下步驟。提供一基底，基底中已形成有多個溝槽，其中溝槽之間的基底上已依序配置有一氧化層、一矽基材料層以及一罩幕層。形成一介電層，以填入溝槽中並覆蓋罩幕層、矽基材料層、氧化層以及基底。對基底進行一退火製程，其中來自罩幕層的氫會與矽基材料層中的矽形成矽-氫鍵。<摘錄公開資訊觀測站>

2016/9/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I541112專利】
2016/9/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I550221專利】
2016/9/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I541751專利】
2016/9/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I548000專利】
2016/9/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I550749專利】
2016/9/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I550362專利】
2016/9/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I550769專利】
2016/9/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I542055專利】
2016/9/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I550697專利】
2016/9/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I547772專利】
2016/9/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I541628專利】
2016/9/1【陸晶圓代工大餅 三星搶食】
2016/8/31【兩岸產業合作添亮點 5G 智慧製造9月簽MOU 】
2016/8/5【檢驗基本面 科技股震盪加劇 】

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