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公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I548064專利

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:非揮發性記憶體及其製作方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/09/013.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 39,0004.其他應敘明事項:一種非揮發性記憶體的製作方法。提供基底,其上形成有穿隧介電層、第一導體圖案及隔離結構。以第一光阻層為罩幕,移除部分第一導體圖案,以形成暴露出基底的第一開口。形成絕緣層,以填滿第一開口並覆蓋第一導體圖案與隔離結構。形成第二光阻層,其遮蔽部分第一導體圖案。以第二光阻層為罩幕,移除第一導體圖案周圍的絕緣層,形成具有第二開口的圖案化絕緣層,第二開口暴露出第一導體圖案的頂部與側壁。於第一導體圖案上形成閘間介電層與第二導體圖案,第二導體圖案填滿第二開口,第一導體圖案形成浮置閘極,第二導體圖案形成控制閘極。<摘錄公開資訊觀測站>

2016/9/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I550842專利
2016/9/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I548075專利
2016/9/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I548039專利
2016/9/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I548064專利
2016/9/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I541112專利
2016/9/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I550221專利
2016/9/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I541751專利
2016/9/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I548000專利
2016/9/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I550749專利
2016/9/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I550362專利
2016/9/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I550769專利
2016/9/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I542055專利
2016/9/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I550697專利
2016/9/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I547772專利

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