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公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I548039專利

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:半導體裝置的製作方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/09/013.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 57,8004.其他應敘明事項:本發明提供一種半導體裝置的製作方法，僅需增加一道光罩，能夠提供高壓元件較大的側壁子寬度，對記憶體區域及低電壓區域內的元件提供較小的側壁子寬度。本發明主要利用一犧牲保護層，僅覆蓋住高電壓區域的氮化矽側壁子，選擇性的剝除低電壓區域內的氮化矽側壁子，再去除該犧牲保護層。<摘錄公開資訊觀測站>

2016/9/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I550716專利】
2016/9/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I550842專利】
2016/9/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I548075專利】
2016/9/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I548039專利】
2016/9/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I548064專利】
2016/9/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I541112專利】
2016/9/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I550221專利】
2016/9/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I541751專利】
2016/9/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I548000專利】
2016/9/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I550749專利】
2016/9/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I550362專利】
2016/9/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I550769專利】
2016/9/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I542055專利】
2016/9/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I550697專利】

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