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公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 2083219專

公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 2083219專利
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:半導體記憶裝置及其ID碼及上位位址寫入方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/07/053.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 81,3174.其他應敘明事項:快閃記憶體的半導體晶片D1~DN層疊而呈多晶片封裝(MCP)，每個半導體晶片D1~DN包括用以儲存ID碼與上位位址的快閃記憶體的記憶胞陣列。ID碼於組裝處理前寫入記憶胞陣列20的熔絲資料區20F。根據本發明，ID碼與上位位址可以被分配且簡單地寫入多晶片封裝中的每個半導體晶片，而相比於習知技術不增加半導體晶片尺寸。<摘錄公開資訊觀測站>

2016/9/30【公告本公司取得美國專利局核發US 9419053專利】
2016/9/30【公告本公司取得美國專利局核發US 9368396專利】
2016/9/30【公告本公司取得美國專利局核發US 9397183專利】
2016/9/30【公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 2083219專】
2016/9/30【公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 2083999專】
2016/9/30【公告本公司取得日本專利局核發JP 5976077專利】
2016/9/30【公告本公司取得日本專利局核發JP 5976055專利】
2016/9/30【公告本公司取得日本專利局核發JP 5986170專利】
2016/9/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I550293專利】
2016/9/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I547348專利】
2016/9/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I550750專利】
2016/9/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I550616專利】
2016/9/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I550716專利】
2016/9/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I550842專利】

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