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1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:

非揮發性半導體儲存裝置以及其控制方法

2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/10/24

3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 88,694

4.其他應敘明事項:

一非揮發性記憶體單元陣列被分為第一單元陣列以及第二單元陣列，頁面緩衝電

路設置於第一單元陣列以及第二單元陣列之間，且第二閂鎖電路設置於第一單元

陣列的外緣區域，且頁面緩衝電路透過第一單元陣列之總體位元線連接至上述第

二閂鎖電路。控制資料寫入至第一單元陣列或第二單元陣列係藉由在資料寫入時

，當寫入資料被閂鎖於第二閂鎖電路中之後，透過第一單元陣列之總體位元線將

寫入資料從第二閂鎖電路傳送至頁面緩衝電路。控制從第一單元陣列或第二單元

陣列讀取的資料輸出至外部電路係藉由在資料讀取時，透過第一單元陣列之總體

位元線將資料從頁面緩衝電路傳送至第二閂鎖電路。

<摘錄公開資訊觀測站>

2018/1/9【力晶250億聯貸 彰銀土銀籌辦】
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