未上市  

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:

鎖存電路以及半導體記憶裝置

2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/10/21

3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 52,600

4.其他應敘明事項:

鎖存電路包括：輸入電路，包含使與感測電壓相應的信號電流流入的輸入用PMOS

電晶體；第1反相器，包含第1 PMOS電晶體、第1 NMOS電晶體以及第1節點，所述

第1節點將第1 PMOS電晶體與第1 NMOS電晶體予以連接且連接於輸入電路；以及第

2反相器，包含第2 PMOS電晶體、第2 NMOS電晶體以及第2節點，所述第2節點將第

2 PMOS電晶體與第2 NMOS電晶體予以連接且第1反相器與第2反相器是級聯連接而構

成。

<摘錄公開資訊觀測站>