未上市  

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:

電阻式隨機存取記憶體結構

2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/10/21

3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 63,800

4.其他應敘明事項:

一種電阻式隨機存取記憶體結構，包括電阻式隨機存取記憶體。電阻式隨機存取

記憶體包括電晶體、介電層及多個第一電阻式隨機存取記憶胞串。介電層覆蓋電

晶體。第一電阻式隨機存取記憶胞串設置於介電層中。各第一電阻式隨機存取記

憶胞串包括多個第一記憶胞、多條第一位元線及內連線結構。第一位元線分別電

性連接各第一記憶胞。內連線結構電性連接於第一記憶胞，第一位元線與內連線

結構分別位於第一記憶胞兩側。第一電阻式隨機存取記憶胞串包含之內連線結構

彼此分離，內連線結構將第一電阻式隨機存取記憶胞串電性連接至同一電晶體的

同一端子。

<摘錄公開資訊觀測站>