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1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:

CMOS影像感測單元及其製造方法

2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/07/07

3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$67,488

4.其他應敘明事項:

一種CMOS影像感測單元及其製造方法。所述影像感測單元包括感光二極體、轉移

閘、重置閘、源極隨耦閘、轉移閘與重置閘之間的浮汲極區、以及PIP型電容器,

其中PIP型電容器的複晶矽下電極與浮汲極區和源極隨耦閘電性連接,而兼作為浮

汲極區和源極隨耦閘之間的內連線。所述製造方法包括:在浮汲極區和源極隨耦

閘上形成接觸窗,然後形成PIP型電容器,其複晶矽下電極與各接觸窗連接。

<摘錄公開資訊觀測站>

2017/11/14【DRAM續漲 南亞科華邦電受惠
2017/10/2【DRAM續漲 南亞科晶豪科認購旺
2017/9/29【公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 2590480專
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2017/9/29【公告本公司取得美國專利局核發US 9735228專利
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2017/9/29【公告本公司取得美國專利局核發US 9709335專利
2017/9/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I599028專利
2017/9/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I592810專利
2017/9/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I593120專利
2017/9/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I592759專利
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