未上市  

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:

電容器結構及其製造方法

2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/07/21

3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 59,800

4.其他應敘明事項:

一種電容器結構的製造方法，包括以下步驟。於第一導體層上形成堆疊結構，其

中堆疊結構從第一導體層起依序包括第一介電層、蝕刻終止層與第二介電層。於

堆疊結構中形成介層窗，其中介層窗包括阻障層與導電插塞，且介層窗與第一導

體層電性連接。於第二介電層中形成第一開口，其中第一開口環繞介層窗。移除

導電插塞，以形成第二開口。於第一開口與第二開口中形成電容結構，其中電容

結構包括下電極、電容介電層以及上電極，且下電極與第一導體層電性連接。

<摘錄公開資訊觀測站>