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公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I593093專利

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:

半導體元件及其製造方法

2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/07/21

3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 64,900

4.其他應敘明事項:

一種半導體元件，包括：基底、感測器、介電層以及光導管結構。感測器位於基

底中。介電層位於基底上。光導管結構填入介電層中的溝渠中。光導管結構對應

於感測器。光導管結構具有漸變折射率。漸變折射率從光導管結構的中心往外圍

區域漸減。

<摘錄公開資訊觀測站>

2017/9/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I598880專利】
2017/9/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I592941專利】
2017/9/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I593062專利】
2017/9/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I593093專利】
2017/9/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I598602專利】
2017/9/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I592940專利】
2017/9/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I593290專利】
2017/9/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I593075專利】
2017/9/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I592939專利】
2017/9/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I592936專利】
2017/9/13【SEMICON Taiwan登場 創半導體業新高峰】
2017/8/24【半導體設備出貨連5月逾20億美元】
2017/7/12【半導體熱 鉅晶買廠房擴產】
2017/7/7【公告子公司鉅晶電子股份有限公司董事會決議擬取得 不動產之相關】
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