未上市  

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:

非揮發性記憶體及其操作方法

2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/07/21

3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 82,300

4.其他應敘明事項:

一種非揮發性記憶體，包括記憶單元陣列。記憶單元陣列設置於基底的第二區。

次控制閘極線連接記憶單元的控制閘極。第一位元組選擇單元及第二位元組選擇

單元分別設置於基底的第一區及第三區。第二位元組選擇單元的導電型態不同於

第一位元組選擇單元。第一主控制閘極線經由第一位元組選擇單元而連接次控制

閘極線。第二主控制閘極線經由第二位元組選擇單元而連接次控制閘極線。第一

位元組選擇閘極線連接第一位元組選擇單元的閘極。第二位元組選擇閘極線連接

第二位元組選擇單元的閘極。

<摘錄公開資訊觀測站>