未上市  

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:

半導體記憶裝置

2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/12/11

3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 47,600

4.其他應敘明事項:

本發明的半導體記憶裝置包括：感測放大器，連接於位元線，從記憶體元件讀出

資料；第1開關元件，連接於第1電源電壓與感測放大器的第1電源中間節點之間，

在感測放大器驅動時導通；第2開關元件，連接於第2電源電壓與感測放大器的第2

電源中間節點之間，在感測放大器驅動時導通；以及等化器電路，使第1及第2電

源中間節點等化於等化電壓，該等化電壓是第1電源中間節點的最大值與第2電源

中間節點的最小值之間的半值位準，該半導體記憶裝置包括連接於位元線且基於

測試信號將所述位元線的電壓控制在規定的電壓值。

<摘錄公開資訊觀測站>