未上市  

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:

非揮發性記憶體及其製造方法

2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/10/03

3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 250,944

4.其他應敘明事項:

一種非揮發性記憶體，包括基底、堆疊結構、通道層與第二介電層。堆疊結構包

括第一介電層與多個記憶胞。第一介電層設置於基底上。記憶胞堆疊設置於第一

介電層上。各個記憶胞包括二層第一導體層與電荷儲存結構。電荷儲存結構設置

於第一導體層之間。垂直相鄰的記憶胞中的電荷儲存結構彼此隔離。通道層設置

於堆疊結構的側壁上，且連接於基底。第二介電層設置於通道層與第一導體層之

間。

<摘錄公開資訊觀測站>