未上市  

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:

半導體元件及其製造方法

2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/04/04

3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 186,023

4.其他應敘明事項:

一種半導體元件，包括：基底、至少一感測器、介電層、至少一光導管結構、至

少一焊墊、遮蔽層以及保護層。感測器位於第一區的基底中。介電層位於基底上

。光導管結構位於第一區的介電層中。光導管結構對應於感測器。焊墊位於第二

區的介電層中。遮蔽層位於介電層上，其中遮蔽層環繞光導管結構。保護層位於

遮蔽層上。焊墊上方的介電層、遮蔽層以及保護層中具有至少一焊墊開口，以暴

露對應的焊墊的頂面

<摘錄公開資訊觀測站>