未上市  

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:

電阻式隨機存取記憶體及其製造方法

2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/02/21

3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 58,200

4.其他應敘明事項:

一種電阻式隨機存取記憶體，包括電阻式隨機存取記憶胞串。電阻式隨機存取記憶

胞串包括基底、第一導電型導體層與多個堆疊結構。第一導電型導體層設置於基底

上。堆疊結構分離設置於第一導電型導體層上。各個堆疊結構包括第二導電型沉積

層、電阻式隨機存取記憶胞與第一導線。第二導電型沉積層設置於第一導電型導體

層上。電阻式隨機存取記憶胞設置於第二導電型沉積層上。第一導線設置於電阻式

隨機存取記憶胞上。

<摘錄公開資訊觀測站>