未上市  

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:

靜態隨機存取記憶體及其製造方法

2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/02/21

3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$53,000

4.其他應敘明事項:

本發明提供一種靜態隨機存取記憶體，包括第一反相器、第二反相器、第一通道

閘電晶體及第二通道閘電晶體。第一反相器包括第一上拉電晶體與第一下拉電晶

體。第二反相器包括第二上拉電晶體與第二下拉電晶體。第一反相器和第二反相

器係呈交互耦合連接。第一通道閘電晶體之汲極耦接於第一反相器之輸出端，第

一通道閘電晶體之源極耦接於第一位元線。第二通道閘電晶體之汲極耦接於第二

反相器之輸出端，第二通道閘電晶體之源極耦接於第二位元線。第一上拉電晶體

與第二上拉電晶體為設置於元件隔離結構上的鑲嵌型電晶體。

<摘錄公開資訊觀測站>