未上市  

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:

半導體元件及其製造方法

2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/02/21

3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本: NT$ 52,200

4.其他應敘明事項:

一種半導體元件及其製造方法，其製造方法包括下列步驟。提供基底。形成閘介

電層以覆蓋部分基底。形成閘極位於閘介電層上。對部分閘極進行第一摻雜製程

以在閘極形成多個閘極摻雜區和至少一個閘極未摻雜區，至少一個閘極未摻雜區

位於閘極摻雜區之間且至少一個閘極未摻雜區的寬度總合為第一寬度。形成介電

層以覆蓋閘極的頂表面和側壁。對基底進行第二摻雜製程以形成源極區和汲極區

，其中源極區和汲極區之間的最短距離為第二寬度。

<摘錄公開資訊觀測站>