未上市  

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:

非揮發性半導體記憶裝置及其寫入方法

2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/01/09

3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本: NT$ 99,944

4.其他應敘明事項:

一種非揮發性半導體記憶裝置，包括：一非揮發性的記憶單元陣列；以及一控制

電路，用以控制該記憶單元陣列的寫入。在抹除已寫入記憶單元之資料的抹除處

理之前或之後，上述控制電路檢測寫入至上述記憶單元陣列時的寫入速度，決定

每區塊或每字元線之對應該寫入速度的寫入開始電壓，儲存上述所決定的寫入開

始電壓於上述記憶單元陣列，以及從上述記憶單元陣列讀出寫入開始電壓以寫入

預定資料。

<摘錄公開資訊觀測站>