未上市  

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:

揮發性半導體記憶裝置、其再新控制電路及方法

2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/02/03

3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本: NT$ 211,113

4.其他應敘明事項:

一種揮發性半導體記憶裝置的再新控制電路，所述揮發性半導體記憶裝置包括各自

具有選擇用電晶體與記憶元件的多個記憶胞元，所述揮發性半導體記憶裝置的再新

控制電路包括：第1比較部件，將所述揮發性半導體記憶裝置的與通常記憶用記憶

胞元不同的記憶胞元的記憶電壓跟規定的臨界電壓進行比較，並輸出比較結果信號，

停止所述記憶胞元的自我再新，直至所述記憶電壓下降至小於規定的臨界電壓為止。

此處，所述揮發性半導體記憶裝置的與通常記憶用記憶胞元不同的記憶胞元是形成

在與所述通常記憶用記憶胞元的陣列鄰接的區域中。

<摘錄公開資訊觀測站>