未上市  

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:

橫向擴散金屬氧化半導體元件及其製造方法

2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/02/21

3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本: NT$ 54,600

4.其他應敘明事項:

一種橫向擴散金屬氧化半導體元件的製造方法，其包括：提供基底，基底上已依序

形成有介電層、第一導體層、黏著層以及第二導體層。圖案化第二導體層，以形成

導體結構。於導體結構的一側的第一導體層與介電層中形成第一溝渠。以導體結構

作為罩幕，移除第一導體層與第一溝渠所暴露的部分基底，以形成閘極結構與第二

溝渠。於閘極結構的一側的基底中形成第一導電型的第一井區。於閘極結構的另一

側的基底中形成第二導電型的第二井區。於閘極結構的側壁形成間隙壁，間隙壁填

滿所述第二溝渠。於閘極結構的兩側的基底中形成汲極區及源極區。

<摘錄公開資訊觀測站>