1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:
非揮發性記憶體
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/02/21
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 51,200
4.其他應敘明事項:
一種非揮發性記憶體,包括基底、堆疊結構、二個通道結構及二層電荷儲存層。
堆疊結構設置於基底上,且包括多層第一導體層、多層介電層及二層第二導體層。
介電層與第一導體層交替地堆疊。第二導體層分離設置於介電層中最上方的一者
上。通道結構設置於堆疊結構兩側的基底上。電荷儲存層設置於堆疊結構與通道
結構之間。
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