未上市  

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:

半導體電晶體與快閃記憶體及其製造方法

2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/02/21

3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 66,400

4.其他應敘明事項:

一種快閃記憶體，設置於基底上。快閃記憶體具有半導體電晶體。此半導體電晶體

具有堆疊閘極結構、淡摻雜區與間隙壁。堆疊閘極結構具有依序設置於基底上的閘

介電層、第一導體層、介電層以及第二導體層。介電層周圍具有開口使第一導體層

電性連接第二導體層。淡摻雜區設置於堆疊閘極結構旁、且位於開口下的基底中。

間隙壁設置於堆疊閘極結構側壁。利用控制開口下第一導體層的高度可調整間隙壁

的寬度，以及利用介電層作為罩幕層設置淡摻雜區，可增加淡摻雜區裕度，得到良

好的電性。

<摘錄公開資訊觀測站>