未上市  

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:

半導體結構及其製造方法

2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/02/21

3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 61,000

4.其他應敘明事項:

一種半導體結構及其製造方法。半導體結構包括基底、多數層複合層以及至少一

複合柱。基底包括第一區以及第二區。複合層位於基底上。各複合層包括至少一

裸露表面以及至少一側壁。裸露表面以及側壁形成至少一階梯結構。複合柱位於

複合層的裸露表面上。

<摘錄公開資訊觀測站>