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公告本公司取得日本專利局核發JP 6069544專利

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:鎖存電路以及半導體記憶裝置2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/01/063.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本: NT$ 160,4974.其他應敘明事項:鎖存電路包括：輸入電路，包含使與感測電壓相應的信號電流流入的輸入用PMOS電晶體；第1反相器，包含第1 PMOS電晶體、第1 NMOS電晶體以及第1節點，所述第1節點將第1 PMOS電晶體與第1 NMOS電晶體予以連接且連接於輸入電路；以及第2反相器，包含第2 PMOS電晶體、第2 NMOS電晶體以及第2節點，所述第2節點將第2 PMOS電晶體與第2 NMOS電晶體予以連接且第1反相器與第2反相器是級聯連接而構成。<摘錄公開資訊觀測站>

2017/3/31【公告本公司取得日本專利局核發JP 6050804專利】
2017/3/31【公告本公司取得日本專利局核發JP 6084318專利】
2017/3/31【公告本公司取得日本專利局核發JP 6097797專利】
2017/3/31【公告本公司取得日本專利局核發JP 6069544專利】
2017/3/31【公告本公司取得美國專利局核發US 9576963專利】
2017/3/31【公告本公司取得美國專利局核發US 9589657專利】
2017/3/31【公告本公司取得美國專利局核發US 9536890專利】
2017/3/31【公告本公司取得美國專利局核發US 9537398專利】
2017/3/31【公告本公司取得美國專利局核發US 9530507專利】
2017/2/15【全球DRAM廠營收上季增18％】
2017/1/11【DRAM勁漲 台廠績昂 】
2017/1/11【DRAM吃緊 淡季漲價25%】
2016/12/30【公告本公司取得日本專利局核發JP 5982510專利】
2016/12/30【公告本公司取得日本專利局核發JP 6017593專利】

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