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DRAM勁漲 台廠績昂

　　DRAM和儲存型快閃記憶體（NAND Flash）在淡季同時缺貨，尤其DRAM漲勢兇猛，讓主要記憶體族群今年營運看旺。國內DRAM廠均已退出標準型供應正規戰，轉攻利基型市場，以利基型DRAM通常一季議價一次，因而未能享用如三星、SK海力士和美光營運直接受到產品飆漲挹注，但隨著漲勢愈猛，台廠包括南亞科、華邦電和力晶等，也同步沾光。
　　近期DRAM漲勢主要由三星主導，且漲勢仍未停歇，首季標準型DRAM漲幅逾三成，行動式DRAM約15~20%，伺服器用DRAM漲幅在25~30%。三大應用領域同飆，讓主要供應商三星、SK海力士、美光去年營運翻身，股價也大爆發，尤其美光股價大漲1.3倍，格外受到矚目。
　　法人看好南亞科、華邦電、旺宏、力晶等擁有記憶體製造產能的公司，本季起業績將明顯提升，不過南亞科因部分產能轉進20奈米，產出會減少，讓漲價利益失色不少。
　　旺宏因具備NAND Flash和NOR Flash兩項記憶體製造實力，加上原來被視為包袱的12吋晶圓廠折舊幾乎攤提完畢，讓旺宏今年光是折舊短少，就可為公司帶來可觀利益，加上兩項記憶體都相繼切入車用及物聯網等大廠，今年營運改觀。
　　至於模組廠中，則以擁有貨源較多的威剛和群聯成為大贏家，但隨著低價庫存逐漸消化，預料第2季起，普遍會承受成本墊高價及調貨不易等困擾。
　　群聯稍早已主動公布去年前11月稅前盈餘達50.46億元，超越去年整年的44.73億元，每股稅前盈餘25.6元。由於10月及11月合計稅前盈餘為12.67億元，法人預期去年第4季獲利仍可超過上季，創單季獲利新高，也將去年全年獲利推向歷史高峰。<摘錄經濟>

2017/3/31【公告本公司取得美國專利局核發US 9537398專利】
2017/3/31【公告本公司取得美國專利局核發US 9530507專利】
2017/2/15【全球DRAM廠營收上季增18％】
2017/1/11【DRAM勁漲 台廠績昂 】
2017/1/11【DRAM吃緊 淡季漲價25%】
2016/12/30【公告本公司取得日本專利局核發JP 5982510專利】
2016/12/30【公告本公司取得日本專利局核發JP 6017593專利】
2016/12/30【公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 2197062專】
2016/12/30【公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 2298048專】
2016/12/30【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I559456專利】
2016/12/30【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I555066專利】
2016/12/30【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I555082專利】
2016/12/30【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I555179專利】
2016/12/30【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I559424專利】

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