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公告本公司取得日本專利局核發JP 5982510專利

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:電壓產生電路、調節器電路、半導體記憶裝置及半導體裝置2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/10/233.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本: NT$ 240,4424.其他應敘明事項:本發明的高電壓產生電路包括：電荷泵電路，進行升壓至比電源電壓高的高電壓；以及輸出電壓控制電路，以使經升壓的上述高電壓變成規定目標電壓的方式進行控制，上述輸出電壓控制電路包括至少2個無偏移比較器電路、或至少1個無偏移比較器電路及至少1個差動放大器，上述無偏移比較器電路包括：耦合電容器，輸入與上述高電壓對應的電壓；差動放大器，將來自上述耦合電容器的電壓與規定的參考電壓進行比較，並將比較結果電壓輸出至上述電荷泵電路；以及多個開關，分別連接於上述差動放大器，用以消除上述差動放大器的偏移。<摘錄公開資訊觀測站>

2017/2/15【全球DRAM廠營收上季增18％】
2017/1/11【DRAM勁漲 台廠績昂 】
2017/1/11【DRAM吃緊 淡季漲價25%】
2016/12/30【公告本公司取得日本專利局核發JP 5982510專利】
2016/12/30【公告本公司取得日本專利局核發JP 6017593專利】
2016/12/30【公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 2197062專】
2016/12/30【公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 2298048專】
2016/12/30【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I559456專利】
2016/12/30【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I555066專利】
2016/12/30【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I555082專利】
2016/12/30【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I555179專利】
2016/12/30【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I559424專利】
2016/12/30【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I555112專利】
2016/12/30【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I559114專利】

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