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公告本公司取得美國專利局核發US 9576963專利

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:垂直通道電晶體陣列及其製造方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/02/213.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本: NT$ 238,0894.其他應敘明事項:一種垂直通道電晶體陣列，包括多條埋入式位元線、多條位元線接觸窗、多個埋入式字元線與漏電流隔離結構。多個半導體柱構成垂直通道電晶體的主動區。多條埋入式位元線平行設置於半導體基底中，在行方向延伸。多條位元線接觸窗分別設置於埋入式位元線的一側。多個埋入式字元線，平行設置於埋入式位元線上方，在列方向延伸，且隔著閘介電層而連接同一列之半導體柱。漏電流隔離結構設置於埋入式位元線末端部分，以避免相鄰位元線接觸窗之間產生漏電流。<摘錄公開資訊觀測站>

2017/3/31【公告本公司取得日本專利局核發JP 6084318專利】
2017/3/31【公告本公司取得日本專利局核發JP 6097797專利】
2017/3/31【公告本公司取得日本專利局核發JP 6069544專利】
2017/3/31【公告本公司取得美國專利局核發US 9576963專利】
2017/3/31【公告本公司取得美國專利局核發US 9589657專利】
2017/3/31【公告本公司取得美國專利局核發US 9536890專利】
2017/3/31【公告本公司取得美國專利局核發US 9537398專利】
2017/3/31【公告本公司取得美國專利局核發US 9530507專利】
2017/2/15【全球DRAM廠營收上季增18％】
2017/1/11【DRAM勁漲 台廠績昂 】
2017/1/11【DRAM吃緊 淡季漲價25%】
2016/12/30【公告本公司取得日本專利局核發JP 5982510專利】
2016/12/30【公告本公司取得日本專利局核發JP 6017593專利】
2016/12/30【公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 2197062專】

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