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公告本公司取得美國專利局核發US 9589657專利

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:內部電源電壓輔助電路、半導體記憶裝置及半導體裝置2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/03/073.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本: NT$ 323,2564.其他應敘明事項:本發明提供一種內部電源電壓輔助電路，用於內部電源電壓產生電路，內部電源電壓產生電路包括：差動放大器，將供給至負載電路的內部電源電壓與規定的基準電壓進行比較，並從輸出端子輸出控制電壓；及驅動電晶體，根據控制電壓來驅動外部電源電壓。內部電源電壓輔助電路包括：時序檢測電路，檢測資料信號的變化，產生並輸出檢測信號；及內部電源電壓輔助供給電路，基於檢測信號，輔助性地供給針對負載電路的電流。因此，可穩定地輸出內部電源電壓，而消耗電力不會大幅增大。本發明亦提供一種半導體記憶裝置及半導體裝置。<摘錄公開資訊觀測站>

2017/3/31【公告本公司取得日本專利局核發JP 6097797專利】
2017/3/31【公告本公司取得日本專利局核發JP 6069544專利】
2017/3/31【公告本公司取得美國專利局核發US 9576963專利】
2017/3/31【公告本公司取得美國專利局核發US 9589657專利】
2017/3/31【公告本公司取得美國專利局核發US 9536890專利】
2017/3/31【公告本公司取得美國專利局核發US 9537398專利】
2017/3/31【公告本公司取得美國專利局核發US 9530507專利】
2017/2/15【全球DRAM廠營收上季增18％】
2017/1/11【DRAM勁漲 台廠績昂 】
2017/1/11【DRAM吃緊 淡季漲價25%】
2016/12/30【公告本公司取得日本專利局核發JP 5982510專利】
2016/12/30【公告本公司取得日本專利局核發JP 6017593專利】
2016/12/30【公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 2197062專】
2016/12/30【公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 2298048專】

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