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公告本公司取得美國專利局核發US 9536890專利

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:半導體電晶體與快閃記憶體及其製造方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/01/033.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本: NT$ 263,6314.其他應敘明事項:一種快閃記憶體,設置於基底上。快閃記憶體具有半導體電晶體。此半導體電晶體具有堆疊閘極結構、淡摻雜區與間隙壁。堆疊閘極結構具有依序設置於基底上的閘介電層、第一導體層、介電層以及第二導體層。介電層周圍具有開口使第一導體層電性連接第二導體層。淡摻雜區設置於堆疊閘極結構旁、且位於開口下的基底中。間隙壁設置於堆疊閘極結構側壁。利用控制開口下第一導體層的高度可調整間隙壁的寬度,以及利用介電層作為罩幕層設置淡摻雜區,可增加淡摻雜區裕度,得到良好的電性。<摘錄公開資訊觀測站>

2017/3/31【公告本公司取得日本專利局核發JP 6069544專利
2017/3/31【公告本公司取得美國專利局核發US 9576963專利
2017/3/31【公告本公司取得美國專利局核發US 9589657專利
2017/3/31【公告本公司取得美國專利局核發US 9536890專利
2017/3/31【公告本公司取得美國專利局核發US 9537398專利
2017/3/31【公告本公司取得美國專利局核發US 9530507專利
2017/2/15【全球DRAM廠營收上季增18%
2017/1/11【DRAM勁漲 台廠績昂
2017/1/11【DRAM吃緊 淡季漲價25%
2016/12/30【公告本公司取得日本專利局核發JP 5982510專利
2016/12/30【公告本公司取得日本專利局核發JP 6017593專利
2016/12/30【公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 2197062專
2016/12/30【公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 2298048專
2016/12/30【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I559456專利

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