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公告本公司取得美國專利局核發US 9496418專利

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:非揮發性記憶體及其製造方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/11/153.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本: NT$ 260,7564.其他應敘明事項:一種非揮發性記憶體，包括基底、第一導體層、第二導體層、圖案化硬罩幕層、第三導體層、第一摻雜區及第二摻雜區。第一導體層與第二導體層彼此分離設置於基底上。圖案化硬罩幕層設置於第一導體層上，且暴露出第一導體層的尖端。第三導體層設置於第一導體層遠離第二導體層的一側的基底上。第三導體層位於部分第一導體層上並覆蓋尖端，且第三導體層與第一導體層相互隔離。第一摻雜區設置於第三導體層下方的基底中。第二摻雜區設置於第二導體層遠離第一導體層的一側的基底中。
<摘錄公開資訊觀測站>

2016/12/29【公告本公司取得美國專利局核發US 9490349專利】
2016/12/29【公告本公司取得美國專利局核發US 9460933專利】
2016/12/29【公告本公司取得美國專利局核發US 9484341專利】
2016/12/29【公告本公司取得美國專利局核發US 9496418專利】
2016/12/29【公告本公司取得美國專利局核發US 9502969專利】
2016/12/29【公告本公司取得美國專利局核發US 9508138專利】
2016/12/29【公告本公司取得美國專利局核發US 9478552專利】
2016/12/29【公告本公司取得美國專利局核發US 9466522專利】
2016/12/29【公告本公司取得美國專利局核發US 9478741專利】
2016/12/29【公告本公司取得美國專利局核發US 9437600專利】
2016/12/29【公告本公司取得美國專利局核發US 9466605專利】
2016/12/29【公告本公司取得美國專利局核發US 9424934專利】
2016/12/29【公告本公司取得美國專利局核發US 9461156專利】
2016/12/26【DRAM三雄盯跳槽陸廠員工】

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