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DRAM三雄盯跳槽陸廠員工

　　全球三大DRAM廠三星、SK海力士（SK Hynix）及美光，近期不約而同相繼寄出存證信函給跳槽到大陸合肥長鑫、及為福建晉華負責研發的聯電核心成員，全力防堵DRAM技術流入中國大陸，讓全力發展自主DRAM研發的中國大陸踢到鐵板，也讓近期有意跳槽到大陸的華亞科核心技術人員，遭到空前恫嚇。
　　半導體人士透露，三大DRAM廠強力防止中國大陸藉挖角剽竊技術，顯示不樂見DRAM產業寡占局面被中國大陸全力搶進而打破，三大廠採取法律制約員工跳槽的行動，如果能奏效，將使DRAM供給缺口浮現問題再擴大，明年再現飆漲。
　　中國大陸全力發展記憶體已列為政策目標，目前包括紫光集團、合肥長鍵及福建晉華都相繼提出宏大發展計畫，並且對外挖角行動再擴大。
　　不過，力晶集團執行長黃崇仁透露，包括三星和SK海力士已寄存證信函給被合肥長鑫挖角的原三星和SK海力士員工，並且措詞強硬，不惜傾所有資源提告。
　　無獨有偶，美光也發出存證信函給原擔任美光台灣區總經理，後來跳槽到聯電擔任副總經理的陳正坤，而陳正坤正是聯電和福建晉華合作切入生產DRAM的主要負責人，全力防止美光的技術流入中國大陸，在業界引起極大震撼。
　　消息人士透露，三大DRAM廠寄出存證信函的舉動，也代表掌握一定的資料和證據，發現這些將三大廠的技術轉移到大陸，損及利益，預料後續也會跟著採取法律行動，引起市場密切注意。
　　據了解，由於合肥長鑫鎖定挖角剛併入美光的華亞科高達200位員工，且多以曾參與美光先進製程的技術人員，美光內部也調派更多的法務人員來台，進行相關蒐證和技術保全工作，防範技術遭到剽竊。
　　台灣南亞科也有部分人員已跳槽到合肥長鑫，但目前多以廠務為主，還未有製程技術人員加入對岸發展記憶體的集團，但南亞科也展開智慧財產財權的保護和宣導工作。
　　南亞科總經理李培瑛強調，DRAM幾乎是各種科技產品的必備電子元件，中國大陸長期發展一定是以國際化為目標，各系統端電產品絕不能有侵權問題，否則影響重大。
　　他認為，中國大陸如果用偷取技術為壯大自主記憶體產業為手段，絕對會遭到很大困難，台灣DRAM技術人員不應被短期的高薪誘惑，貿然做出對原公司不利的事。<摘錄經濟>

2016/12/29【公告本公司取得美國專利局核發US 9466605專利】
2016/12/29【公告本公司取得美國專利局核發US 9424934專利】
2016/12/29【公告本公司取得美國專利局核發US 9461156專利】
2016/12/26【DRAM三雄盯跳槽陸廠員工】
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2016/9/30【公告本公司取得美國專利局核發US 9384844專利】
2016/9/30【公告本公司取得美國專利局核發US 9390931專利】
2016/9/30【公告本公司取得美國專利局核發US 9391107專利】
2016/9/30【公告本公司取得美國專利局核發US 9391115專利】

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