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公告本公司取得美國專利局核發US 9424934專利

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:非揮發性半導體記憶裝置與寫入方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/10/123.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本: NT$ 252,2744.其他應敘明事項:一種非揮發性半導體記憶裝置，包括控制處理器、寫入控制器、電壓產生電路以及切換電路。控制處理器用以產生並輸出一控制資料並且實施一程式碼以寫入資料，其中資料包括一字元線指定指令以及一電壓源指定資料。寫入控制器用以解碼控制資料並且產生字元線指定指令的一控制信號以及電壓源指定資料的一控制信號。電壓產生電路用以產生寫入資料的複數個電壓。切換電路用以依據字元線指定指令之控制信號以及電壓源指定資料之控制信號，選擇複數個電壓之中對應電壓源指定資料的一電壓，並且對應字元線指定指令輸出選擇的電壓。<摘錄公開資訊觀測站>

2016/12/29【公告本公司取得美國專利局核發US 9478741專利】
2016/12/29【公告本公司取得美國專利局核發US 9437600專利】
2016/12/29【公告本公司取得美國專利局核發US 9466605專利】
2016/12/29【公告本公司取得美國專利局核發US 9424934專利】
2016/12/29【公告本公司取得美國專利局核發US 9461156專利】
2016/12/26【DRAM三雄盯跳槽陸廠員工】
2016/12/21【投效大陸紫光?蔡力行否認】
2016/12/21【台灣半導體有優勢及競爭力力晶黃崇仁：不必怕大陸挖角】
2016/12/21【黃崇仁談陸挖角…免驚】
2016/11/18【價格漲勢不停全球DRAM Q3營收季增15.8% 】
2016/10/6【應材余定陸:OLED加速設備成長】
2016/10/6【力晶集團攻精品電商】
2016/9/30【公告本公司取得美國專利局核發US 9384844專利】
2016/9/30【公告本公司取得美國專利局核發US 9390931專利】

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