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公告本公司取得美國專利局核發US 9478741專利

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:電阻式隨機存取記憶體及其製造方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/10/253.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本: NT$ 167,9604.其他應敘明事項:一種電阻式隨機存取記憶體，包括基底、介電層、多個記憶胞及內連線結構。介電層設置於基底上。記憶胞垂直相鄰地設置於介電層中，且各個記憶胞包括第一電極、第二電極及可變電阻結構。第二電極設置於第一電極上。可變電阻結構設置於第一電極與第二電極之間。在垂直相鄰的兩個記憶胞中，位於上方的記憶胞的第一電極與位於下方的記憶胞的第二電極設置於相鄰的可變電阻結構之間且彼此隔離。內連線結構設置於介電層中且將記憶胞的第一電極進行連接。<摘錄公開資訊觀測站>

2016/12/29【公告本公司取得美國專利局核發US 9508138專利】
2016/12/29【公告本公司取得美國專利局核發US 9478552專利】
2016/12/29【公告本公司取得美國專利局核發US 9466522專利】
2016/12/29【公告本公司取得美國專利局核發US 9478741專利】
2016/12/29【公告本公司取得美國專利局核發US 9437600專利】
2016/12/29【公告本公司取得美國專利局核發US 9466605專利】
2016/12/29【公告本公司取得美國專利局核發US 9424934專利】
2016/12/29【公告本公司取得美國專利局核發US 9461156專利】
2016/12/26【DRAM三雄盯跳槽陸廠員工】
2016/12/21【投效大陸紫光?蔡力行否認 】
2016/12/21【台灣半導體有優勢及競爭力 力晶黃崇仁：不必怕大陸挖角 】
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