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公告本公司取得美國專利局核發US 9466522專利

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:半導體結構的製造方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/10/113.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本: NT$ 206,7994.其他應敘明事項:一種半導體結構的製造方法,包括以下步驟。提供包括多數個區塊的基底。各區塊分別包括交替排列的第一區以及第二區。於基底上形成多數個複合層。圖案化最頂層的複合層,以於基底的第一區上形成多數個複合塊。依序對區塊上的複合層以及複合塊進行移除製程,以於基底上形成階梯結構。<摘錄公開資訊觀測站>

2016/12/29【公告本公司取得美國專利局核發US 9502969專利
2016/12/29【公告本公司取得美國專利局核發US 9508138專利
2016/12/29【公告本公司取得美國專利局核發US 9478552專利
2016/12/29【公告本公司取得美國專利局核發US 9466522專利
2016/12/29【公告本公司取得美國專利局核發US 9478741專利
2016/12/29【公告本公司取得美國專利局核發US 9437600專利
2016/12/29【公告本公司取得美國專利局核發US 9466605專利
2016/12/29【公告本公司取得美國專利局核發US 9424934專利
2016/12/29【公告本公司取得美國專利局核發US 9461156專利
2016/12/26【DRAM三雄盯跳槽陸廠員工
2016/12/21【投效大陸紫光?蔡力行否認
2016/12/21【台灣半導體有優勢及競爭力 力晶黃崇仁:不必怕大陸挖角
2016/12/21【黃崇仁談陸挖角…免驚
2016/11/18【價格漲勢不停 全球DRAM Q3營收 季增15.8%

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