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公告本公司取得美國專利局核發US 9490349專利

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:半導體元件的製作方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/11/083.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本: NT$ 161,7804.其他應敘明事項:本發明提出了一種半導體元件的製作方法，其步驟包含：在基底上形成一閘極堆疊結構，其包含一浮動閘、一閘極間介電層、一控制閘、以及一金屬層，在閘極堆疊結構上形成一共形襯層，在襯層上覆蓋一遮罩層，其中遮罩層低於金屬層使得部分襯層裸露而出，以及進行一氮化步驟將裸露的襯層轉化成氮化襯層，使得閘極堆疊結構中至少包含金屬層的部分會為氮化襯層所覆蓋。<摘錄公開資訊觀測站>

2016/12/30【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I555131專利】
2016/12/30【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I559450專利】
2016/12/29【公告本公司取得美國專利局核發US 9484349專利】
2016/12/29【公告本公司取得美國專利局核發US 9490349專利】
2016/12/29【公告本公司取得美國專利局核發US 9460933專利】
2016/12/29【公告本公司取得美國專利局核發US 9484341專利】
2016/12/29【公告本公司取得美國專利局核發US 9496418專利】
2016/12/29【公告本公司取得美國專利局核發US 9502969專利】
2016/12/29【公告本公司取得美國專利局核發US 9508138專利】
2016/12/29【公告本公司取得美國專利局核發US 9478552專利】
2016/12/29【公告本公司取得美國專利局核發US 9466522專利】
2016/12/29【公告本公司取得美國專利局核發US 9478741專利】
2016/12/29【公告本公司取得美國專利局核發US 9437600專利】
2016/12/29【公告本公司取得美國專利局核發US 9466605專利】

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