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公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I555131專利

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:ＮＯＲ型快閃記憶體及其製造方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/10/213.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本: NT$ 48,2004.其他應敘明事項:一種NOR型快閃記憶體，包括設置於基底上的記憶胞。記憶胞，包括：堆疊閘極結構、輔助閘極、輔助閘極介電層、淡摻雜區、汲極區。堆疊閘極結構設置於基底上。輔助閘極設置於堆疊閘極結構的第一側的基底上。輔助閘極介電層設置於輔助閘極與基底之間。淡摻雜區設置於輔助閘極下方的基底中，其中藉由於輔助閘極施加一電壓而於輔助閘極下方的基底中形成反轉層以作為源極區。汲極區，設置於堆疊閘極結構的第　二側的基底中，第一側與第二側相對。<摘錄公開資訊觀測站>

2016/12/30【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I555120專利】
2016/12/30【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I559459專利】
2016/12/30【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I555119專利】
2016/12/30【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I555131專利】
2016/12/30【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I559450專利】
2016/12/29【公告本公司取得美國專利局核發US 9484349專利】
2016/12/29【公告本公司取得美國專利局核發US 9490349專利】
2016/12/29【公告本公司取得美國專利局核發US 9460933專利】
2016/12/29【公告本公司取得美國專利局核發US 9484341專利】
2016/12/29【公告本公司取得美國專利局核發US 9496418專利】
2016/12/29【公告本公司取得美國專利局核發US 9502969專利】
2016/12/29【公告本公司取得美國專利局核發US 9508138專利】
2016/12/29【公告本公司取得美國專利局核發US 9478552專利】
2016/12/29【公告本公司取得美國專利局核發US 9466522專利】

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