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公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 3125730專

公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 3125730專利

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:

浮置閘極與非揮發性記憶胞的製造方法

2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:107/10/26

3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 64,984

4.其他應敘明事項:

一種浮置閘極的製造方法,包括下列步驟。提供具有多個隔離結構的基底,隔離

結構的頂面高於基底的頂面。於基底上形成第一導體層。於第一導體層上形成犧

牲層。移除部份犧牲層,而保留隔離結構之間的第一導體層上的犧牲層。以犧牲

層為罩幕,移除部份第一導體層,以於相鄰的隔離結構之間形成導體結構。移除

犧牲層。於基底上形成第二導體層,第二導體層電性連接導體結構。以及圖案化

第二導體層與導體結構,以形成浮置閘極。

<摘錄公開資訊觀測站>

2018/12/28【公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 3080646專
2018/12/28【公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 3069339專
2018/12/28【公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 3125727專
2018/12/28【公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 3125730專】
2018/12/28【公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 3159745專
2018/12/28【公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 3123040專
2018/12/28【公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 3092137專
2018/12/28【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I639925專利
2018/12/28【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I645405專利
2018/12/28【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I640011專利
2018/12/28【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I639886專利
2018/12/28【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I639847專利
2018/12/28【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I645554專利
2018/12/28【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I639884專利
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