未上市  

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:

記憶體結構及其製作方法

2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:107/04/21

3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 75,600

4.其他應敘明事項:

一種記憶體結構，包含半導體基底、至少二個淺溝槽隔離、主動區、第一介電層

、浮置閘極、第二介電層以及控制閘極。淺溝槽隔離相鄰設置於半導體基底中。

主動區設置於半導體基底中且位於該等淺溝槽隔離之間。第一介電層設置於主動

區表面。浮置閘極設置於半導體基底上且具有階梯狀側壁，並包含上層部和下層

部，其中上層部寬度小於下層部寬度，下層部橫跨主動區且延伸至淺溝槽隔離上

並部分覆蓋淺溝槽隔離。第二介電層覆蓋浮置閘極。控制閘極設置於第二介電層

上。

<摘錄公開資訊觀測站>