未上市  

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:

雙位元快閃記憶體記憶體結構及其製造方法

2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:107/06/21

3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 117,500

4.其他應敘明事項:

一種雙位元快閃記憶體結構，包含位於基材上的選擇閘極氧化物層、容置於選擇

閘極氧化物層中的選擇閘極，選擇閘極兩側各有一組複合閘極層。各別複合閘極

層包含浮置閘極氧化層、浮置閘極、複合材料層、控制閘極與間隙壁。浮置氧化

矽位於基材上。浮置閘極位於浮置氧化層上。複合材料層位於浮置閘極上。控制

閘極位於複合材料層上。間隙壁位於控制閘極上。

<摘錄公開資訊觀測站>