未上市  

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:

MIM電容之結構及其製造方法

2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:107/04/21

3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 109,200

4.其他應敘明事項:

一種金屬-絕緣層-金屬(Metal-Insulator-Metal：MIM)電容，其中包括第一電極

層、第二電極層以及倒T型介電層堆疊結構。其中倒T型介電層堆疊結構形成於第

一電極層與第二電極層之間。上述之倒T型介電層堆疊結構包括垂直部及水平部連

接該垂直部，其中另一介電層圖案形成於該垂直部與水平部之間，以形成該倒T型

介電層堆疊結構。

<摘錄公開資訊觀測站>