未上市  

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:

半導體元件的製造方法

2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:107/04/21

3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 53,800

4.其他應敘明事項:

一種半導體元件的製造方法，包括以下步驟。於基底上分別形成第一應力層與第

二應力層。於第一應力層與第二應力層上形成緩衝層。對基底進行佈植製程，以

於第一應力層與第二應力層的下方的基底中形成預切割面。進行接合處理，以將

載板接合至緩衝層上。進行熱處理，使得基底的一部分自預切割面分離。於基底

的另一部分的預切割面上進行前段製程。

<摘錄公開資訊觀測站>