未上市  

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:

垂直式記憶體及其製作方法

2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:107/06/21

3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 91,500

4.其他應敘明事項:

本發明提供一種垂直式記憶體，其包括複數個記憶單元，沿垂直於基底表面的第　

一方向依序堆疊，其中各記憶單元包括通道層、閘極、儲存層、穿隧層、阻擋層

及空氣間隙層。通道層沿第一方向延伸，而閘極沿著平行於基底表面的第二方向

設置於通道層之一側。儲存層設置於通道層與閘極之間，並沿第一方向延伸。穿

隧層設置於通道層與儲存層之間，並沿第一方向延伸。阻擋層設置於閘極與儲存

層之間，其中阻擋層覆蓋閘極之頂面、底面及側面。空氣間隙層沿第一方向延伸

，並設置於儲存層與阻擋層之間或設置於儲存層與穿隧層之間。

<摘錄公開資訊觀測站>